BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80V 100A
♠ פּראָדוקט באַשרייַבונג
| פּראָדוקט אַטריביוט | אַטריביוט ווערט |
| פאַבריקאַנט: | ינפינעאָן |
| פּראָדוקט קאַטעגאָריע: | MOSFET |
| RoHS: | דעטאַילס |
| טעכנאָלאָגיע: | Si |
| מאַונטינג נוסח: | SMD/SMT |
| פּעקל / קאַסטן: | TDSON-8 |
| טראַנסיסטאָר פּאָולעראַטי: | ען-טשאַננעל |
| נומער פון טשאַנאַלז: | 1 קאַנאַל |
| Vds - פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש: | 80 V |
| ID - קעסיידערדיק פליסן קראַנט: | 100 א |
| Rds On - פליסן-מקור קעגנשטעל: | 4.5 מאָהמס |
| Vgs - טויער-מקור וואָולטידזש: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - טויער-מקור שוועל וואָולטידזש: | 2.2 V |
| Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| מינימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | - 55 סי |
| מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | + 150 סי |
| Pd - מאַכט דיסיפּיישאַן: | 139 וו |
| קאַנאַל מאָדע: | בעסער מאכען |
| האַנדל נאָמען: | OptiMOS |
| פּאַקקאַגינג: | שפּול |
| פּאַקקאַגינג: | שנייַדן טייפּ |
| פּאַקקאַגינג: | MouseReel |
| סאָרט: | ינפינעאָן טעטשנאָלאָגיעס |
| קאַנפיגיעריישאַן: | איין |
| האַרבסט צייט: | 13 ns |
| פֿאָרווערטס טראַנסקאָנדוקטאַנסע - מין: | 55 ש |
| הייך: | 1.27 מם |
| לענג: | 5.9 מם |
| פּראָדוקט טיפּ: | MOSFET |
| העכערונג צייט: | 12 ns |
| סעריע: | OptiMOS 5 |
| פאַבריק פּאַק קוואַנטיטי: | 5000 |
| אונטערקאטעגאריע: | MOSFETs |
| טראַנזיסטאָר טיפּ: | 1 ן-קאַנאַל |
| טיפּיש קער-אַוועק פאַרהאַלטן צייט: | 43 ns |
| טיפּיש פאַרהאַלטן צייט פון פאַרהאַלטן: | 20 ns |
| ברייט: | 5.15 מם |
| טייל # אַליאַסעס: | BSC030N08NS5 SP001077098 |
| אַפּאַראַט וואָג: | 0.017870 אַז |
• אָפּטימיזעד פֿאַר הויך פאָרשטעלונג סמפּס, עגסינק.רעק.
•100% לאַווינע טעסטעד
• העכער טערמאַל קעגנשטעל
• ן-קאַנאַל
• קוואַלאַפייד לויט JEDEC1) פֿאַר ציל אַפּלאַקיישאַנז
• פּב-פֿרייַ פירן פּלייטינג; RoHS געהאָרכיק
•האַלאָגען-פריי לויט IEC61249-2-21
