BSS123 מאָספֿעט SOT-23 N-CH לאָגיק
♠ פּראָדוקט באַשרייַבונג
| פּראָדוקט אַטריביוט | אַטריביוט ווערט |
| פאַבריקאַנט: | אָנסעמי |
| פּראָדוקט קאַטעגאָריע: | מאָספֿעט |
| טעכנאָלאָגיע: | Si |
| מאַונטינג סטיל: | SMD/SMT |
| פּעקל / קעסטל: | SOT-23-3 |
| טראַנזיסטאָר פּאָלאַריטעט: | N-קאַנאַל |
| נומער פון קאַנאַלן: | 1 קאַנאַל |
| Vds - דריינאַדזש-קוואל ברייקדאַון וואָולטידזש: | 100 V |
| אידענטיפיקאציע - קאנטינעווער דרעין קראַנט: | 170 מאַ |
| Rds אן - דריינאַדזש-קוואל קעגנשטעל: | 6 אָום |
| Vgs - גייט-קוואל וואלטאזש: | - 20 וואלט, + 20 וואלט |
| Vgs th - גייט-קוואל שוועל וואָולטידזש: | 800 מיליווולט |
| Qg - טויער אָפּצאָל: | 2.5 נקאָ |
| מינימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | - 55 צעלזיוס |
| מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | + 150 גראַד צעלזיוס |
| פּד - מאַכט דיסיפּיישאַן: | 300 מעגוואט |
| קאַנאַל מאָדע: | פֿאַרבעסערונג |
| פּאַקאַדזשינג: | שפּול |
| פּאַקאַדזשינג: | שניידט טייפּ |
| פּאַקאַדזשינג: | מאַוסריל |
| בראַנד: | אָנסעמי / פערטשילד |
| קאָנפיגוראַציע: | סינגל |
| האַרבסט צייט: | 9 נ״ז |
| פאָרווערטס טראַנסקאַנדאַקטאַנס - מין: | 0.8 סעקונדעס |
| הייך: | 1.2 מ״מ |
| לענג: | 2.9 מ״מ |
| פּראָדוקט: | מאָספֿעט קליין סיגנאַל |
| פּראָדוקט טיפּ: | מאָספֿעט |
| אויפשטייג צייט: | 9 נ״ז |
| סעריע: | בי.עס.עס.123 |
| פאַבריק פּאַק קוואַנטיטי: | 3000 |
| אונטערקאַטעגאָריע: | מאָספֿעטס |
| טראַנזיסטאָר טיפּ: | 1 N-קאַנאַל |
| טיפ: | פֿעט |
| טיפּישע אויסלעשן פֿאַרהאַלטונג צייט: | 17 נאָונז |
| טיפּישע אָנצינדונג פאַרהאַלטונג צייט: | 1.7 נ״ס |
| ברייט: | 1.3 מ״מ |
| טייל # אַליאַסיז: | BSS123_NL |
| איינהייט וואָג: | 0.000282 אונס |
♠ N-קאַנאַל לאָגיק לעוועל פֿאַרבעסערונג מאָדע פֿעלד עפֿעקט טראַנזיסטאָר
די N−קאַנאַל פֿאַרבעסערונג מאָדע פֿעלד עפֿעקט טראַנזיסטאָרן ווערן פּראָדוצירט מיט אָנסעמי'ס אייגענער, הויך צעל געדיכטקייט, DMOS טעכנאָלאָגיע. די פּראָדוקטן זענען דיזיינד געוואָרן צו מינימיזירן אָן-שטאַט קעגנשטעל בשעת זיי צושטעלן שטאַרקע, פאַרלאָזלעכע און שנעלע סוויטשינג פאָרשטעלונג. די פּראָדוקטן זענען באַזונדערס פּאַסיק פֿאַר נידעריק וואָולטידזש, נידעריק קראַנט אַפּלאַקיישאַנז אַזאַ ווי קליין סערוואָ מאָטאָר קאָנטראָל, מאַכט MOSFET גייט דרייווערס, און אַנדערע סוויטשינג אַפּלאַקיישאַנז.
• 0.17 א, 100 וואלט
♦ RDS(אן) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS(אן) = 10 @ VGS = 4.5 V
• הויך-דענסיטי צעל דיזיין פֿאַר גאָר נידעריק RDS (אויף)
• שטאַרק און פאַרלעסלעך
• קאָמפּאַקט אינדוסטריע סטאַנדאַרט SOT−23 ייבערפלאַך מאָונט פּאַקעט
• די דעווייס איז פריי פון לעבער און האַלאָגען
