IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
♠ פּראָדוקט באַשרייַבונג
| פּראָדוקט אַטריביוט | אַטריביוט ווערט |
| פאַבריקאַנט: | ינפינעאָן |
| פּראָדוקט קאַטעגאָריע: | MOSFET |
| טעכנאָלאָגיע: | Si |
| מאַונטינג נוסח: | SMD/SMT |
| פּעקל / קאַסטן: | TO-252-3 |
| טראַנסיסטאָר פּאָולעראַטי: | פּ-טשאַננעל |
| נומער פון טשאַנאַלז: | 1 קאַנאַל |
| Vds - פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש: | 150 V |
| ID - קעסיידערדיק פליסן קראַנט: | 13 א |
| Rds On - פליסן-מקור קעגנשטעל: | 580 מאָהמס |
| Vgs - טויער-מקור וואָולטידזש: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - טויער-מקור שוועל וואָולטידזש: | 4 V |
| Qg - Gate Charge: | 66 nC |
| מינימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | - 55 סי |
| מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | + 175 סי |
| Pd - מאַכט דיסיפּיישאַן: | 110 וו |
| קאַנאַל מאָדע: | בעסער מאכען |
| פּאַקקאַגינג: | שפּול |
| פּאַקקאַגינג: | שנייַדן טייפּ |
| פּאַקקאַגינג: | MouseReel |
| סאָרט: | ינפינעאָן טעטשנאָלאָגיעס |
| קאַנפיגיעריישאַן: | איין |
| האַרבסט צייט: | 37 ns |
| פֿאָרווערטס טראַנסקאָנדוקטאַנסע - מין: | 3.6 ס |
| הייך: | 2.3 מם |
| לענג: | 6.5 מם |
| פּראָדוקט טיפּ: | MOSFET |
| העכערונג צייט: | 36 ns |
| פאַבריק פּאַק קוואַנטיטי: | 2000 |
| אונטערקאטעגאריע: | MOSFETs |
| טראַנזיסטאָר טיפּ: | 1 פּ-טשאַננעל |
| טיפּ: | פּרילימאַנערי |
| טיפּיש קער-אַוועק פאַרהאַלטן צייט: | 53 ns |
| טיפּיש פאַרהאַלטן צייט פון פאַרהאַלטן: | 14 ns |
| ברייט: | 6.22 מם |
| טייל # אַליאַסעס: | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| אַפּאַראַט וואָג: | 0.011640 אַז |
♠ IRFR6215PbF IRFU6215PbF העקספעט® מאַכט מאָספעט
פינפט דור העקספעט פון אינטערנאַציאָנאַלער רעקטאַפייער נוצן אַוואַנסירטעפּראַסעסינג טעקניקס צו דערגרייכן די לאָואַסט מעגלעך אויף-קעגנשטעל פּערסיליציום געגנט.דעם נוץ, קאַמביינד מיט די שנעל סוויטשינג גיכקייַטאון גראָב מיטל פּלאַן אַז HEXFET Power MOSFETs זענעןבאַוווסט פֿאַר, גיט די דיזיינער אַ גאָר עפעקטיוו מיטלפֿאַר נוצן אין אַ ברייט פאַרשיידנקייַט פון אַפּלאַקיישאַנז.
די D-PAK איז דיזיינד פֿאַר ייבערפלאַך מאַונטינג ניצן פארע פאַסע,ינפרערעד, אָדער כוואַליע סאַדערינג טעקניקס.די גלייַך פירן ווערסיע(IRFU סעריע) איז פֿאַר דורך-לאָך מאַונטינג אַפּלאַקיישאַנז.קראַפטדיסיפּיישאַן לעוועלס אַרויף צו 1.5 וואטס זענען מעגלעך אין טיפּיש ייבערפלאַךאָנקלאַפּן אַפּלאַקיישאַנז.
פּ-טשאַננעל
175 °C אַפּערייטינג טעמפּעראַטור
Surface Mount (IRFR6215)
גלייַך פירן (IRFU6215)
אַוואַנסירטע פּראַסעס טעכנאָלאָגיע
שנעל סוויטשינג
גאָר לאַווינע רייטאַד
בלייַ-פריי
