NTMFS5C628NLT1G MOSFET טרענטש 6 60V NFET
♠ פּראָדוקט באַשרייַבונג
פּראָדוקט אַטריביוט | אַטריביוט ווערט |
פאַבריקאַנט: | אָנסעמי |
פּראָדוקט קאַטעגאָריע: | MOSFET |
טעכנאָלאָגיע: | Si |
מאַונטינג נוסח: | SMD/SMT |
פּעקל / קאַסטן: | SO-8FL-4 |
טראַנסיסטאָר פּאָולעראַטי: | ען-טשאַננעל |
נומער פון טשאַנאַלז: | 1 קאַנאַל |
Vds - פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש: | 60 V |
ID - קעסיידערדיק פליסן קראַנט: | 150 א |
Rds On - פליסן-מקור קעגנשטעל: | 2.4 מאָהמס |
Vgs - טויער-מקור וואָולטידזש: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - טויער-מקור שוועל וואָולטידזש: | 1.2 V |
Qg - Gate Charge: | 52 nC |
מינימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | - 55 סי |
מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | + 175 סי |
Pd - מאַכט דיסיפּיישאַן: | 3.7 וו |
קאַנאַל מאָדע: | בעסער מאכען |
פּאַקקאַגינג: | שפּול |
פּאַקקאַגינג: | שנייַדן טייפּ |
פּאַקקאַגינג: | MouseReel |
סאָרט: | אָנסעמי |
קאַנפיגיעריישאַן: | איין |
האַרבסט צייט: | 70 ns |
פֿאָרווערטס טראַנסקאָנדוקטאַנסע - מין: | 110 ש |
פּראָדוקט טיפּ: | MOSFET |
העכערונג צייט: | 150 נס |
פאַבריק פּאַק קוואַנטיטי: | 1500 |
אונטערקאטעגאריע: | MOSFETs |
טראַנזיסטאָר טיפּ: | 1 ן-קאַנאַל |
טיפּיש קער-אַוועק פאַרהאַלטן צייט: | 28 ns |
טיפּיש פאַרהאַלטן צייט פון פאַרהאַלטן: | 15 ns |
אַפּאַראַט וואָג: | 0.006173 אַז |
• קליין פאָאָטפּרינט (5 × 6 מם) פֿאַר קאָמפּאַקט פּלאַן
• נידעריק RDS (אויף) צו מינאַמייז קאַנדאַקשאַן לאָססעס
• נידעריק קג און קאַפּאַסיטאַנס צו מינאַמייז דרייווער לאָססעס
• די דיווייסאַז זענען פּב-פריי און זענען RoHS קאָמפּליאַנט