IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ פּראָדוקט באַשרייַבונג
| פּראָדוקט אַטריביוט | אַטריביוט ווערט |
| פאַבריקאַנט: | ינפינעאָן |
| פּראָדוקט קאַטעגאָריע: | MOSFET |
| RoHS: | דעטאַילס |
| טעכנאָלאָגיע: | Si |
| מאַונטינג נוסח: | SMD/SMT |
| פּעקל / קאַסטן: | TO-252-3 |
| טראַנסיסטאָר פּאָולעראַטי: | ען-טשאַננעל |
| נומער פון טשאַנאַלז: | 1 קאַנאַל |
| Vds - פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש: | 40 V |
| ID - קעסיידערדיק פליסן קראַנט: | 50 א |
| Rds On - פליסן-מקור קעגנשטעל: | 9.3 מאָהמס |
| Vgs - טויער-מקור וואָולטידזש: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - טויער-מקור שוועל וואָולטידזש: | 3 V |
| Qg - Gate Charge: | 18.2 נק |
| מינימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | - 55 סי |
| מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | + 175 סי |
| Pd - מאַכט דיסיפּיישאַן: | 41 וו |
| קאַנאַל מאָדע: | בעסער מאכען |
| קוואַליפיקאַציע: | AEC-Q101 |
| האַנדל נאָמען: | OptiMOS |
| פּאַקקאַגינג: | שפּול |
| פּאַקקאַגינג: | שנייַדן טייפּ |
| סאָרט: | ינפינעאָן טעטשנאָלאָגיעס |
| קאַנפיגיעריישאַן: | איין |
| האַרבסט צייט: | 5 ns |
| הייך: | 2.3 מם |
| לענג: | 6.5 מם |
| פּראָדוקט טיפּ: | MOSFET |
| העכערונג צייט: | 7 ns |
| סעריע: | OptiMOS-T2 |
| פאַבריק פּאַק קוואַנטיטי: | 2500 |
| אונטערקאטעגאריע: | MOSFETs |
| טראַנזיסטאָר טיפּ: | 1 ן-קאַנאַל |
| טיפּיש קער-אַוועק פאַרהאַלטן צייט: | 4 ns |
| טיפּיש פאַרהאַלטן צייט פון פאַרהאַלטן: | 5 ns |
| ברייט: | 6.22 מם |
| טייל # אַליאַסעס: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| אַפּאַראַט וואָג: | 330 מג |
• N-קאַנאַל - ענכאַנסמאַנט מאָדע
• אַעק קוואַלאַפייד
• MSL1 אַרויף צו 260 ° C שפּיץ ריפלאָו
• 175 °C אַפּערייטינג טעמפּעראַטור
• גרין פּראָדוקט (ראָהס געהאָרכיק)
• 100% לאַווינע טעסטעד
