NDS331N MOSFET N-Ch LL FET ענכאַנסמאַנט מאָדע
♠ פּראָדוקט באַשרייַבונג
| פּראָדוקט אַטריביוט | אַטריביוט ווערט |
| פאַבריקאַנט: | אָנסעמי |
| פּראָדוקט קאַטעגאָריע: | MOSFET |
| טעכנאָלאָגיע: | Si |
| מאַונטינג נוסח: | SMD/SMT |
| פּעקל / קאַסטן: | SOT-23-3 |
| טראַנסיסטאָר פּאָולעראַטי: | ען-טשאַננעל |
| נומער פון טשאַנאַלז: | 1 קאַנאַל |
| Vds - פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש: | 20 V |
| ID - קעסיידערדיק פליסן קראַנט: | 1.3 א |
| Rds On - פליסן-מקור קעגנשטעל: | 210 מאָהמס |
| Vgs - טויער-מקור וואָולטידזש: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - טויער-מקור שוועל וואָולטידזש: | 500 מוו |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| מינימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | - 55 סי |
| מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | + 150 סי |
| Pd - מאַכט דיסיפּיישאַן: | 500 mW |
| קאַנאַל מאָדע: | בעסער מאכען |
| פּאַקקאַגינג: | שפּול |
| פּאַקקאַגינג: | שנייַדן טייפּ |
| פּאַקקאַגינג: | MouseReel |
| סאָרט: | אָנסעמי / פאַירטשילד |
| קאַנפיגיעריישאַן: | איין |
| האַרבסט צייט: | 25 ns |
| הייך: | 1.12 מם |
| לענג: | 2.9 מם |
| פּראָדוקט: | MOSFET קליין סיגנאַל |
| פּראָדוקט טיפּ: | MOSFET |
| העכערונג צייט: | 25 ns |
| סעריע: | NDS331N |
| פאַבריק פּאַק קוואַנטיטי: | 3000 |
| אונטערקאטעגאריע: | MOSFETs |
| טראַנזיסטאָר טיפּ: | 1 ן-קאַנאַל |
| טיפּ: | MOSFET |
| טיפּיש קער-אַוועק פאַרהאַלטן צייט: | 10 ns |
| טיפּיש פאַרהאַלטן צייט פון פאַרהאַלטן: | 5 ns |
| ברייט: | 1.4 מם |
| טייל # אַליאַסעס: | NDS331N_NL |
| אַפּאַראַט וואָג: | 0.001129 אַז |
♠ N-קאַנאַל לאָגיק לעוועל ענכאַנסמאַנט מאָדע פעלד ווירקונג טראַנסיסטאָר
די N-Channel ימפּרווומאַנץ מאָדע פֿאַר מאַכט פעלד ווירקונג זענען געשאפן מיט די פּראַפּרייאַטערי DMOS טעכנאָלאָגיע פון ON Semiconductor מיט הויך צעל געדיכטקייַט.דעם זייער הויך געדיכטקייַט פּראָצעס איז ספּעציעל טיילערד צו מינאַמייז אויף-שטאַט קעגנשטעל.די דעוויסעס זענען דער הויפּט סוטאַד פֿאַר נידעריק וואָולטידזש אַפּלאַקיישאַנז אין העפט קאָמפּיוטערס, פּאָרטאַטיוו פאָנעס, PCMCIA קאַרדס און אנדערע באַטאַרייע פּאַוערד סערקאַץ ווו שנעל סוויטשינג און נידעריק אין-שורה מאַכט אָנווער זענען דארף אין אַ זייער קליין אַוטליין ייבערפלאַך אָנקלאַפּן פּעקל.
• 1.3 א, 20 וו
♦ RDS(אויף) = 0.21 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS(אויף) = 0.16 @ VGS = 4.5 V
• ינדוסטרי סטאַנדאַרד אַוטליין סאָט-23 ייבערפלאַך בארג פּאַקקאַגע ניצן
פּראַפּרייאַטערי SUPERSOT-3 פּלאַן פֿאַר העכער טערמאַל און עלעקטריקאַל קייפּאַבילאַטיז
• הויך געדיכטקייַט צעל פּלאַן פֿאַר גאָר נידעריק RDS (אויף)
• יקסעפּשאַנאַל אויף-קעגנשטעל און מאַקסימום דק קראַנט קאַפּאַביליטי
• דאס איז אַ פּב-פריי מיטל
