NTMFS4C029NT1G MOSFET טרענטש 6 30V NCH
♠ פּראָדוקט באַשרייַבונג
| פּראָדוקט אַטריביוט | אַטריביוט ווערט |
| פאַבריקאַנט: | אָנסעמי |
| פּראָדוקט קאַטעגאָריע: | MOSFET |
| RoHS: | דעטאַילס |
| טעכנאָלאָגיע: | Si |
| מאַונטינג נוסח: | SMD/SMT |
| פּעקל / קאַסטן: | SO-8FL-4 |
| טראַנסיסטאָר פּאָולעראַטי: | ען-טשאַננעל |
| נומער פון טשאַנאַלז: | 1 קאַנאַל |
| Vds - פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש: | 30 V |
| ID - קעסיידערדיק פליסן קראַנט: | 46 א |
| Rds On - פליסן-מקור קעגנשטעל: | 4.9 מאָהמס |
| Vgs - טויער-מקור וואָולטידזש: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - טויער-מקור שוועל וואָולטידזש: | 2.2 V |
| Qg - Gate Charge: | 18.6 נק |
| מינימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | - 55 סי |
| מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | + 150 סי |
| Pd - מאַכט דיסיפּיישאַן: | 23.6 וו |
| קאַנאַל מאָדע: | בעסער מאכען |
| פּאַקקאַגינג: | שפּול |
| פּאַקקאַגינג: | שנייַדן טייפּ |
| פּאַקקאַגינג: | MouseReel |
| סאָרט: | אָנסעמי |
| קאַנפיגיעריישאַן: | איין |
| האַרבסט צייט: | 7 ns |
| פֿאָרווערטס טראַנסקאָנדוקטאַנסע - מין: | 43 ש |
| פּראָדוקט טיפּ: | MOSFET |
| העכערונג צייט: | 34 ns |
| סעריע: | NTMFS4C029N |
| פאַבריק פּאַק קוואַנטיטי: | 1500 |
| אונטערקאטעגאריע: | MOSFETs |
| טראַנזיסטאָר טיפּ: | 1 ן-קאַנאַל |
| טיפּיש קער-אַוועק פאַרהאַלטן צייט: | 14 ns |
| טיפּיש פאַרהאַלטן צייט פון פאַרהאַלטן: | 9 ns |
| אַפּאַראַט וואָג: | 0.026455 אַז |
• נידעריק RDS (אויף) צו מינאַמייז קאַנדאַקשאַן לאָססעס
• נידעריק קאַפּאַסיטאַנס צו מינאַמייז דרייווער לאָססעס
• אָפּטימיזעד טויער אָפּצאָל צו מינאַמייז סוויטשינג לאָססעס
• די דיווייסאַז זענען פּב-פריי, האַלאָגען פריי/בפר פריי און זענען RoHS קאָמפּליאַנט
• קפּו מאַכט עקספּרעס
• דק-דק קאָנווערטערס
