SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
♠ פּראָדוקט באַשרייַבונג
| פּראָדוקט אַטריביוט | אַטריביוט ווערט |
| פאַבריקאַנט: | ווישיי |
| פּראָדוקט קאַטעגאָריע: | MOSFET |
| RoHS: | דעטאַילס |
| טעכנאָלאָגיע: | Si |
| מאַונטינג נוסח: | SMD/SMT |
| פּעקל / קאַסטן: | סק-89-6 |
| טראַנסיסטאָר פּאָולעראַטי: | N-Channel, P-Channel |
| נומער פון טשאַנאַלז: | 2 קאַנאַל |
| Vds - פליסן-מקור ברייקדאַון וואָולטידזש: | 60 V |
| ID - קעסיידערדיק פליסן קראַנט: | 500 מאַ |
| Rds On - פליסן-מקור קעגנשטעל: | 1.4 אָום, 4 אָום |
| Vgs - טויער-מקור וואָולטידזש: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - טויער-מקור שוועל וואָולטידזש: | 1 V |
| Qg - Gate Charge: | 750 פּק, 1.7 נק |
| מינימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | - 55 סי |
| מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | + 150 סי |
| Pd - מאַכט דיסיפּיישאַן: | 280 mW |
| קאַנאַל מאָדע: | בעסער מאכען |
| האַנדל נאָמען: | טרענטשפעט |
| פּאַקקאַגינג: | שפּול |
| פּאַקקאַגינג: | שנייַדן טייפּ |
| פּאַקקאַגינג: | MouseReel |
| סאָרט: | Vishay Semiconductors |
| קאַנפיגיעריישאַן: | צווייענדיק |
| פֿאָרווערטס טראַנסקאָנדוקטאַנסע - מין: | 200 מס, 100 מס |
| הייך: | 0.6 מם |
| לענג: | 1.66 מם |
| פּראָדוקט טיפּ: | MOSFET |
| סעריע: | SI1 |
| פאַבריק פּאַק קוואַנטיטי: | 3000 |
| אונטערקאטעגאריע: | MOSFETs |
| טראַנזיסטאָר טיפּ: | 1 ן-טשאַננעל, 1 פּ-טשאַננעל |
| טיפּיש קער-אַוועק פאַרהאַלטן צייט: | 20 ננס, 35 ננס |
| טיפּיש פאַרהאַלטן צייט פון פאַרהאַלטן: | 15 ננס, 20 ננס |
| ברייט: | 1.2 מם |
| טייל # אַליאַסעס: | SI1029X-GE3 |
| אַפּאַראַט וואָג: | 32 מג |
• האַלאָגען-פֿרייַ לויט צו יעק 61249-2-21 דעפֿיניציע
• טרענטשפעט® מאַכט מאָספעץ
• זייער קליין שפּור
• הויך-זייַט סוויטשינג
• נידעריק אויף-קעגנשטעל:
N-Channel, 1.40 Ω
פּ-טשאַננעל, 4 Ω
• נידעריק שוועל: ± 2 וו (טיפּ.)
• שנעל סוויטשינג גיכקייַט: 15 ns (טיפּ.)
• טויער-מקור ESD פּראָטעקטעד: 2000 V
• נאָכקומען מיט RoHS דירעקטיוו 2002/95/EC
• פאַרבייַטן דיגיטאַל טראַנסיסטאָר, לעוועל-שיפטער
• באַטערי אַפּערייטאַד סיסטעמס
• מאַכט סופּפּלי קאָנווערטער סירקויץ
