VNS1NV04DPTR-E טויער דריווערס OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ פּראָדוקט באַשרייַבונג
| פּראָדוקט אַטריביוט | אַטריביוט ווערט |
| פאַבריקאַנט: | STMicroelectronics |
| פּראָדוקט קאַטעגאָריע: | טויער דריווערס |
| פּראָדוקט: | MOSFET גייט דריווערס |
| טיפּ: | נידעריק-זייַט |
| מאַונטינג נוסח: | SMD/SMT |
| פּעקל / קאַסטן: | SOIC-8 |
| נומער פון דריווערס: | 2 דרייווער |
| נומער פון אַוטפּוץ: | 2 רעזולטאַט |
| רעזולטאַט קראַנט: | 1.7 א |
| צושטעלן וואָולטידזש - מאַקס: | 24 V |
| העכערונג צייט: | 500 נס |
| האַרבסט צייט: | 600 נס |
| מינימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | - 40 סי |
| מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור: | + 150 סי |
| סעריע: | VNS1NV04DP-E |
| קוואַליפיקאַציע: | AEC-Q100 |
| פּאַקקאַגינג: | שפּול |
| פּאַקקאַגינג: | שנייַדן טייפּ |
| פּאַקקאַגינג: | MouseReel |
| סאָרט: | STMicroelectronics |
| מויסטשער סענסיטיוו: | יא |
| אַפּערייטינג צושטעלן קראַנט: | 150 ואַ |
| פּראָדוקט טיפּ: | טויער דריווערס |
| פאַבריק פּאַק קוואַנטיטי: | 2500 |
| אונטערקאטעגאריע: | PMIC - Power Management ICs |
| טעכנאָלאָגיע: | Si |
| אַפּאַראַט וואָג: | 0.005291 אַז |
♠ OMNIFET II גאָר אַוטאָפּראָטעקטעד מאַכט מאָספעט
די VNS1NV04DP-E איז אַ מיטל געשאפן דורך צוויי מאַנאַליטיק OMNIFET II טשיפּס כאַוזד אין אַ נאָרמאַל SO-8 פּעקל.די OMNIFET II זענען דיזיינד אין STMicroelectronics VIPower ™ M0-3 טעכנאָלאָגיע: זיי זענען בדעה פֿאַר פאַרבייַט פון נאָרמאַל מאַכט MOSFETs פֿון DC אַרויף צו 50KHz אַפּלאַקיישאַנז.געבויט אין טערמאַל שאַטדאַון, לינעאַר קראַנט באַגרענעצונג און אָוווערוואָולטידזש קלאַמערן פּראַטעקץ די שפּאָן אין האַרב ינווייראַנמאַנץ.
שולד באַמערקונגען קענען זיין דיטעקטאַד דורך מאָניטאָרינג די וואָולטידזש אין די אַרייַנשרייַב שטיפט.
• לינעאַר קראַנט באַגרענעצונג
• טערמאַל שאַטדאַון
• קורץ קרייַז שוץ
• ינטעגראַטעד קלאַמערן
• נידעריק קראַנט ציען פון אַרייַנשרייַב שטיפט
• דיאַגנאָסטיק באַמערקונגען דורך אַרייַנשרייַב שטיפט
• ESD שוץ
• דירעקט אַקסעס צו די טויער פון די מאַכט מאָספעט (אַנאַלאָג דרייווינג)
• קאַמפּאַטאַבאַל מיט נאָרמאַל מאַכט מאָספעט
• אין העסקעם מיט די 2002/95/EC אייראפעישער דירעקטיוו
